Kausēts kvarcs

Si un FeSi ražošanā galvenais Si avots ir SiO2 kvarca formā.Reakcijās ar SiO2 rodas SiO gāze, kas tālāk reaģē ar SiC uz Si.Karsēšanas laikā kvarcs pārveidosies par citām SiO2 modifikācijām ar kristobalītu kā stabilu augstas temperatūras fāzi.Pārvēršanās par kristobalītu ir lēns process.Tā ātrums ir pētīts vairākiem rūpnieciskiem kvarca avotiem, un ir pierādīts, ka tas ievērojami atšķiras starp dažādiem kvarca veidiem.Ir pētītas arī citas uzvedības atšķirības karsēšanas laikā starp šiem kvarca avotiem, piemēram, mīkstināšanas temperatūra un tilpuma izplešanās.Kvarca-kristobalīta attiecība ietekmēs ar SiO2 saistīto reakciju ātrumu.Tiek apspriestas novērotās atšķirības starp kvarca veidiem rūpnieciskās sekas un citas sekas.Pašreizējā darbā ir izstrādāta jauna eksperimentālā metode, un vairāku jaunu kvarca avotu izpēte ir apstiprinājusi iepriekš novērotās lielās atšķirības starp dažādiem avotiem.Ir pētīta datu atkārtojamība un pētīta gāzes atmosfēras ietekme.Iepriekšējā darba rezultāti tiek iekļauti kā pamats diskusijai.

Kausētajam kvarcam ir lieliskas termiskās un ķīmiskās īpašības kā tīģeļa materiālam monokristālu audzēšanai no kausējuma, un tā augstā tīrība un zemās izmaksas padara to īpaši pievilcīgu augstas tīrības pakāpes kristālu audzēšanai.Tomēr dažu veidu kristālu augšanā starp kausējumu un kvarca tīģeli ir nepieciešams pirolītiskā oglekļa pārklājuma slānis.Šajā rakstā mēs aprakstām metodi pirolītiskā oglekļa pārklājuma uzklāšanai ar vakuuma tvaiku transportēšanu.Ir pierādīts, ka šī metode ir efektīva, lai iegūtu relatīvi vienmērīgu pārklājumu plašam tīģeļu izmēru un formu diapazonam.Iegūto pirolītiskā oglekļa pārklājumu raksturo optiskā vājinājuma mērījumi.Katrā pārklāšanas procesā tiek parādīts, ka pārklājuma biezums tuvojas gala vērtībai ar eksponenciālu asti, palielinoties pirolīzes ilgumam, un vidējais biezums aptuveni palielinās lineāri līdz ar pieejamā heksāna tvaiku tilpuma attiecību pret pirolīzes virsmas laukumu. pārklājums.Kvarca tīģeļi, kas pārklāti ar šo procesu, ir izmantoti, lai veiksmīgi izaudzētu līdz divu diametru Nal monokristāliem, un tika konstatēts, ka Nal kristāla virsmas kvalitāte uzlabojas, palielinoties pārklājuma biezumam.